Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > 1N6481-E3/97
RFQs/beställning (0)
Svenska
4219701N6481-E3/97 bildElectro-Films (EFI) / Vishay

1N6481-E3/97

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
10000+
$0.096
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    1N6481-E3/97
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1.1V @ 1A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    400V
  • Leverantörs Device Package
    DO-213AB
  • Fart
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serier
    SUPERECTIFIER®
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Driftstemperatur - korsning
    -65°C ~ 175°C
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    10µA @ 400V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    1A
  • Kapacitans @ Vr, F
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Bas-delenummer
    1N6481
1N6479HE3/96

1N6479HE3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N6481HE3/97

1N6481HE3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N6483HE3/97

1N6483HE3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N6482HE3/97

1N6482HE3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N6482-E3/97

1N6482-E3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N6480HE3/97

1N6480HE3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N648-1

1N648-1

Beskrivning: DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35

tillverkare: Microsemi
I lager
1N6483-E3/96

1N6483-E3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

tillverkare: Vishay Semiconductor Diodes Division
I lager
1N6481HE3/96

1N6481HE3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N6480-E3/97

1N6480-E3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N6483HE3/96

1N6483HE3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N6479-E3/97

1N6479-E3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N6482-E3/96

1N6482-E3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N6482HE3/96

1N6482HE3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N647UR-1

1N647UR-1

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO213

tillverkare: Microsemi Corporation
I lager
1N6480HE3/96

1N6480HE3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N6481-E3/96

1N6481-E3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N6479HE3/97

1N6479HE3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N6483-E3/97

1N6483-E3/97

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N6480-E3/96

1N6480-E3/96

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

tillverkare: Vishay Semiconductor Diodes Division
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta