Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > EPC2035
Begär offert
Svenska
709695EPC2035 bildEPC

EPC2035

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$1.11
10+
$0.974
25+
$0.863
100+
$0.752
250+
$0.654
500+
$0.557
1000+
$0.445
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    EPC2035
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 800µA
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • Teknologi
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Leverantörs Device Package
    Die
  • Serier
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    45 mOhm @ 1A, 5V
  • Effektdissipation (Max)
    -
  • Förpackning
    Original-Reel®
  • Förpackning / Fodral
    Die
  • Andra namn
    917-1099-6
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    12 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    115pF @ 30V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    1.15nC @ 5V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    5V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    60V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 60V 1A (Ta) Surface Mount Die
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)
SIT8209AI-82-25S-166.600000Y

SIT8209AI-82-25S-166.600000Y

Beskrivning: -40 TO 85C, 7050, 25PPM, 2.5V, 1

tillverkare: SiTime
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta