Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > EPC2012
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
6083726EPC2012 bildEPC

EPC2012

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
1+
$2.99
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    EPC2012
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +6V, -5V
  • Teknologi
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Leverantörs Device Package
    Die
  • Serier
    eGaN®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 3A, 5V
  • Effektdissipation (Max)
    -
  • Förpackning
    Original-Reel®
  • Förpackning / Fodral
    Die
  • Andra namn
    917-1017-6
  • Driftstemperatur
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    145pF @ 100V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    1.8nC @ 5V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    5V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    200V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 200V 3A (Ta) Surface Mount Die
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)
EPC2010C

EPC2010C

Beskrivning: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC2010CENGR

EPC2010CENGR

Beskrivning: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC2001

EPC2001

Beskrivning: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC2015

EPC2015

Beskrivning: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC2012C

EPC2012C

Beskrivning: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC2007

EPC2007

Beskrivning: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC2012CENGR

EPC2012CENGR

Beskrivning: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC1PI8N

EPC1PI8N

Beskrivning:

tillverkare: ALTERA
I lager
EPC2010

EPC2010

Beskrivning: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC2014

EPC2014

Beskrivning: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC1PI8

EPC1PI8

Beskrivning: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP

tillverkare: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
I lager
EPC2001C

EPC2001C

Beskrivning: TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC2007C

EPC2007C

Beskrivning: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC1PC8CC

EPC1PC8CC

Beskrivning: IC CONFIG DEVICE

tillverkare: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
I lager
EPC2016C

EPC2016C

Beskrivning: TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC2015CENGR

EPC2015CENGR

Beskrivning: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC2014C

EPC2014C

Beskrivning: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC2018

EPC2018

Beskrivning: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC2016

EPC2016

Beskrivning: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager
EPC2015C

EPC2015C

Beskrivning: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

tillverkare: EPC
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta