Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > NTJS4405NT4
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
1681852NTJS4405NT4 bildAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJS4405NT4

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    NTJS4405NT4
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Serier
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    350 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Effektdissipation (Max)
    630mW (Ta)
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    60pF @ 10V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    1.5nC @ 4.5V
  • FET-typ
    N-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    2.7V, 4.5V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    25V
  • detaljerad beskrivning
    N-Channel 25V 1A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)
NTJS3157NT2

NTJS3157NT2

Beskrivning: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJD4401NT4

NTJD4401NT4

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJS4160NT1G

NTJS4160NT1G

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJS3157NT1G

NTJS3157NT1G

Beskrivning:

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJS3157NT2G

NTJS3157NT2G

Beskrivning: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJD4401NT2G

NTJD4401NT2G

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJS4151PT1G

NTJS4151PT1G

Beskrivning: MOSFET P-CH 20V 3.3A SC-88

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJS3151PT2

NTJS3151PT2

Beskrivning: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJD4401NT4G

NTJD4401NT4G

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJD5121NT2G

NTJD5121NT2G

Beskrivning: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJS4405NT4G

NTJS4405NT4G

Beskrivning: MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJS3157NT4

NTJS3157NT4

Beskrivning: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJS3157NT4G

NTJS3157NT4G

Beskrivning: MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJS3151PT1G

NTJS3151PT1G

Beskrivning: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJS3151PT2G

NTJS3151PT2G

Beskrivning: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJS4405NT1

NTJS4405NT1

Beskrivning: MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJD4401NT1G

NTJD4401NT1G

Beskrivning:

tillverkare: ONSEMI
I lager
NTJS4151PT1

NTJS4151PT1

Beskrivning: MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJS4405NT1G

NTJS4405NT1G

Beskrivning:

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTJD5121NT1G

NTJD5121NT1G

Beskrivning:

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta