Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > DSK10C-ET1
RFQs/beställning (0)
Svenska
1392213DSK10C-ET1 bildON Semiconductor

DSK10C-ET1

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    DSK10C-ET1
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1A
  • Spänning - Uppdelning
    -
  • Serier
    -
  • RoHS-status
    Tape & Reel (TR)
  • Omvänd återställningstid (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Motstånd @ Om, F
    -
  • Polarisering
    R-1 (Axial)
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens varunummer
    DSK10C-ET1
  • Utvidgad beskrivning
    Diode Standard 200V 1A Through Hole
  • Diodkonfiguration
    10µA @ 200V
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io) (per Diod)
    200V
  • Kapacitans @ Vr, F
    150°C (Max)
DSK10E

DSK10E

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

tillverkare: ON Semiconductor
I lager
DSK10C

DSK10C

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

tillverkare: ON Semiconductor
I lager
1N4446 TR

1N4446 TR

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

tillverkare: Central Semiconductor
I lager
MSE1PG-M3/89A

MSE1PG-M3/89A

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
DSK5J01P0L

DSK5J01P0L

Beskrivning: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

tillverkare: Panasonic
I lager
DSK-3R3H703T414-HLL

DSK-3R3H703T414-HLL

Beskrivning: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

tillverkare: Elna America
I lager
DSK10E-BT

DSK10E-BT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

tillverkare: ON Semiconductor
I lager
DSK10E-AT1

DSK10E-AT1

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

tillverkare: ON Semiconductor
I lager
DSK9J01P0L

DSK9J01P0L

Beskrivning: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3

tillverkare: Panasonic
I lager
DSK-3R3H224U-HL

DSK-3R3H224U-HL

Beskrivning: CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD

tillverkare: Elna America
I lager
DSK10B

DSK10B

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

tillverkare: ON Semiconductor
I lager
DSK10C-AT1

DSK10C-AT1

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

tillverkare: ON Semiconductor
I lager
DSK10E-ET1

DSK10E-ET1

Beskrivning: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

tillverkare: ON Semiconductor
I lager
DSK-3R3H703T414-HRL

DSK-3R3H703T414-HRL

Beskrivning: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

tillverkare: Elna America
I lager
DSK10C-BT

DSK10C-BT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

tillverkare: ON Semiconductor
I lager
DSK10B-BT

DSK10B-BT

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

tillverkare: ON Semiconductor
I lager
DSK10B-AT1

DSK10B-AT1

Beskrivning: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

tillverkare: ON Semiconductor
I lager
DSK-3R3H204T614-H2L

DSK-3R3H204T614-H2L

Beskrivning:

tillverkare: ELNA
I lager
DSK5J01Q0L

DSK5J01Q0L

Beskrivning: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

tillverkare: Panasonic
I lager
DSK-3R3H334T-HL

DSK-3R3H334T-HL

Beskrivning: CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD

tillverkare: Elna America
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta