Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > BVSS84LT1G
RFQs/beställning (0)
Svenska
666008BVSS84LT1G bildAMI Semiconductor / ON Semiconductor

BVSS84LT1G

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com

Referenspris (i amerikanska dollar)

I lager
5+
$0.106
50+
$0.087
150+
$0.077
500+
$0.069
3000+
$0.057
6000+
$0.054
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    BVSS84LT1G
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Blyfri / Överensstämmer med RoHS
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Teknologi
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Leverantörs Device Package
    SOT-23-3
  • Serier
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 Ohm @ 100mA, 5V
  • Effektdissipation (Max)
    225mW (Ta)
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andra namn
    BVSS84LT1G-ND
    BVSS84LT1GOSTR
  • Driftstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Monteringstyp
    Surface Mount
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tillverkarens normala ledtid
    36 Weeks
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
    36pF @ 5V
  • Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs
    2.2nC @ 10V
  • FET-typ
    P-Channel
  • FET-funktionen
    -
  • Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På)
    5V
  • Avlopp till källspänning (Vdss)
    50V
  • detaljerad beskrivning
    P-Channel 50V 130mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C
    130mA (Ta)
AUIRLR3636

AUIRLR3636

Beskrivning: MOSFET N-CH 60V 99A DPAK

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
BVSS123LT1G

BVSS123LT1G

Beskrivning:

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
BVSD-2032-PC

BVSD-2032-PC

Beskrivning: VERT SNAP DRAGON CR2032 PC PIN

tillverkare: MPD (Memory Protection Devices)
I lager
BVSS138LT1G

BVSS138LT1G

Beskrivning:

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
NTHS5443T1G

NTHS5443T1G

Beskrivning: MOSFET P-CH 20V 3.6A CHIPFET

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
BUK7606-55B,118

BUK7606-55B,118

Beskrivning: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

tillverkare: Nexperia
I lager
SQJ411EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

Beskrivning: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
APTM120U10DAG

APTM120U10DAG

Beskrivning: MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

tillverkare: Microsemi
I lager
IRF7811TR

IRF7811TR

Beskrivning: MOSFET N-CH 28V 14A 8-SOIC

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
ZXMP10A18K

ZXMP10A18K

Beskrivning: MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
BVSD-2032-COVER

BVSD-2032-COVER

Beskrivning: COVER FOR VERT SNAP DRAGON HLDR

tillverkare: MPD (Memory Protection Devices)
I lager
FDS7088SN3

FDS7088SN3

Beskrivning: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
R6020ANX

R6020ANX

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

tillverkare: LAPIS Semiconductor
I lager
IRF830PBF

IRF830PBF

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
AUIRF7416QTR

AUIRF7416QTR

Beskrivning: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC

tillverkare: International Rectifier (Infineon Technologies)
I lager
IXTQ280N055T

IXTQ280N055T

Beskrivning: MOSFET N-CH 55V 280A TO-3P

tillverkare: IXYS Corporation
I lager
BVSD-2032-SM

BVSD-2032-SM

Beskrivning: VERT SNAP DRAGON CR2032 SMT

tillverkare: MPD (Memory Protection Devices)
I lager
AOD2606

AOD2606

Beskrivning:

tillverkare: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
I lager
FQA10N60C

FQA10N60C

Beskrivning: MOSFET N-CH 600V 10A TO-3P

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager

Review (1)

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta