Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Dioder - Rectifiers - Single > 1N5406RL
RFQs/beställning (0)
Svenska
Svenska
20521071N5406RL bildAMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N5406RL

Begär offert

Fyll i alla nödvändiga fält med din kontaktinformation. Klicka "Skicka RFQ" Vi kommer att kontakta dig inom kort via e -post.Eller maila oss:info@ftcelectronics.com
Förfrågan Online
Specifikationer
  • Artikelnummer
    1N5406RL
  • Tillverkare / Brand
  • Lagerkvantitet
    I lager
  • Beskrivning
    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Innehåller lednings- / RoHS-överensstämmelse
  • Datablad
  • Ecad -modell
  • Spänning - Framåt (Vf) (Max) @ Om
    1V @ 3A
  • Spänning - DC-omvänd (Vr) (Max)
    600V
  • Leverantörs Device Package
    DO-201AD
  • Fart
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serier
    -
  • Förpackning
    Tape & Reel (TR)
  • Förpackning / Fodral
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Andra namn
    1N5406RLOSTR
  • Driftstemperatur - korsning
    -65°C ~ 170°C
  • Monteringstyp
    Through Hole
  • Fuktkänslighetsnivå (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ledningsfri status / RoHS-status
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diodtyp
    Standard
  • detaljerad beskrivning
    Diode Standard 600V 3A Through Hole DO-201AD
  • Ström - Omvänd läckage @ Vr
    10µA @ 600V
  • Aktuell - Genomsnittlig Rectified (Io)
    3A
  • Kapacitans @ Vr, F
    -
  • Bas-delenummer
    1N5406
1N5406GHR0G

1N5406GHR0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
1N5407-E3/54

1N5407-E3/54

Beskrivning:

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N5406G

1N5406G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
1N5407

1N5407

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

tillverkare: Fairchild/ON Semiconductor
I lager
1N5406GHB0G

1N5406GHB0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
1N5407-E3/51

1N5407-E3/51

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N5407-G

1N5407-G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

tillverkare: Comchip Technology
I lager
1N5406G A0G

1N5406G A0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
1N5406-TP

1N5406-TP

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

tillverkare: Micro Commercial Components (MCC)
I lager
1N5406TA

1N5406TA

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

tillverkare: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
I lager
1N5407-E3/73

1N5407-E3/73

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N5406GHA0G

1N5406GHA0G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

tillverkare: TSC (Taiwan Semiconductor)
I lager
1N5406T-G

1N5406T-G

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

tillverkare: Comchip Technology
I lager
1N5406G-T

1N5406G-T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
1N5406RLG

1N5406RLG

Beskrivning:

tillverkare: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
I lager
1N5407

1N5407

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

tillverkare: ON Semiconductor
I lager
1N5406-T

1N5406-T

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager
1N5406GP-E3/54

1N5406GP-E3/54

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

tillverkare: Electro-Films (EFI) / Vishay
I lager
1N5406GP-TP

1N5406GP-TP

Beskrivning: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

tillverkare: Micro Commercial Components (MCC)
I lager
1N5407-B

1N5407-B

Beskrivning: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD

tillverkare: Diodes Incorporated
I lager

Välj språk

Klicka på utrymmet för att avsluta